雙腔室超高真空磁控濺射系統QBT-P配備進樣室及濺射腔室，濺射室配備離子刻蝕功能，腔室內配備超高真空傳輸，設備真空度≤3E-9Torr，基板加熱900℃，可制備超導Ta/TiN/NbN/Al/Nb等薄膜

磁控濺射鍍膜機廠家在陰極靶的表面上方形成一個正交電磁場。當濺射產生的二次電子在陰極位降區內被加速為高能電子后，并不直接飛向陽極，而是在正交電磁場作用下作來回振蕩的近似擺線的運動。高能電子不斷與氣體分子發生碰撞并向后者轉移能量，使之電離而本身變成低能電子。

雙腔室超高真空雙磁控測射系統在陰極靶的表面上方形成一個正交電磁場。當濺射產生的二次電子在陰極位降區內被加速為高能電子后，并不直接飛向陽極，而是在正交電磁場作用下作來回振蕩的近似擺線的運動。高能電子不斷與氣體分子發生碰撞并向后者轉移能量，使之電離而本身變成低能電子。