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                      當前位置:首頁(yè)  >  產(chǎn)品中心  >  半導體行業(yè)專(zhuān)用儀器  >  ALD  >  QBT-A雙腔體高真空等離子體原子層沉積系統

                      雙腔體高真空等離子體原子層沉積系統

                      簡(jiǎn)要描述:雙腔室高真空等離子體ALD設備是對ALD技術(shù)的擴展,通過(guò)等離子體的引入,產(chǎn)生大量活性自由基,增強了前驅體物質(zhì)的反應活性,從而拓展了ALD對前驅源的選擇范圍和應用要求,縮短了反應周期的時(shí)間,同時(shí)也降低了對樣品沉積溫度的要求,可以實(shí)現低溫甚至常溫沉積,特別適合于對溫度敏感材料和柔性材料上的薄膜沉積。

                      • 產(chǎn)品型號:QBT-A
                      • 廠(chǎng)商性質(zhì):生產(chǎn)廠(chǎng)家
                      • 更新時(shí)間:2024-05-08
                      • 訪(fǎng)  問(wèn)  量:2479

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                      詳細介紹

                          一、雙腔室高真空等離子體ALD設備核心參數:

                          價(jià)格區間:100萬(wàn)-200萬(wàn)

                          產(chǎn)地類(lèi)別:國產(chǎn)原子層沉積系統(ALD)

                          襯底尺寸:Ф200mm

                          工藝溫度:RT-500±1ºC

                          前驅體數:最大可包括3組等離子體反應氣體4組液態(tài)或固態(tài)反應前驅體

                          重量:300KG

                          尺寸(WxHxD):1400*1000*1900mm

                          均勻性:均一性<1%

                          二、雙腔室高真空等離子體ALD設備應用原理分析:

                          原子層沉積(Atomiclayerdeposition)是通過(guò)將氣相前驅體脈沖交替地通入反應腔體內并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應而形成沉積膜的一種技術(shù),具有自限性和自飽和。原子層沉積技術(shù)主要應用是在各種尺寸和形狀的基底上沉積高精度、無(wú)針孔、高保形的納米薄膜。

                          等離子體增強原子層沉積(PlasmaEnhancedAtomicLayerDeposition,PEALD)是對ALD技術(shù)的擴展,通過(guò)等離子體的引入,產(chǎn)生大量活性自由基,增強了前驅體物質(zhì)的反應活性,從而拓展了ALD對前驅源的選擇范圍和應用要求,縮短了反應周期的時(shí)間,同時(shí)也降低了對樣品沉積溫度的要求,可以實(shí)現低溫甚至常溫沉積,特別適合于對溫度敏感材料和柔性材料上的薄膜沉積。

                          三、廈門(mén)韞茂科技有限公司為您提供參數、價(jià)格、型號、原理等信息,產(chǎn)地為福建、品牌為韞茂,型號為QBT-A,價(jià)格為100萬(wàn)-200萬(wàn)RMB,更多相關(guān)信息可咨詢(xún),公司客服電話(huà)7*24小時(shí)為您服務(wù)。

                          四、主要技術(shù)參數:

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                        五、測試結果展示:

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