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                      雙腔室超高真空雙磁控測射系統

                      簡(jiǎn)要描述:雙腔室超高真空雙磁控測射系統在陰極靶的表面上方形成一個(gè)正交電磁場(chǎng)。當濺射產(chǎn)生的二次電子在陰極位降區內被加速為高能電子后,并不直接飛向陽(yáng)極,而是在正交電磁場(chǎng)作用下作來(lái)回振蕩的近似擺線(xiàn)的運動(dòng)。高能電子不斷與氣體分子發(fā)生碰撞并向后者轉移能量,使之電離而本身變成低能電子。

                      • 產(chǎn)品型號:QBT-P
                      • 廠(chǎng)商性質(zhì):生產(chǎn)廠(chǎng)家
                      • 更新時(shí)間:2024-05-08
                      • 訪(fǎng)  問(wèn)  量:486

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                      詳細介紹

                      一、雙腔室超高真空雙磁控測射系統核心參數:  

                      價(jià)格區間:150萬(wàn)-200萬(wàn)  

                      儀器種類(lèi):磁控濺射鍍膜機  

                      產(chǎn)地類(lèi)別:國產(chǎn)  

                      應用領(lǐng)域:微電子學(xué)  

                      基片尺寸:4寸(可定制)  

                      靶材:鉭  

                      基片溫度范圍:RT-900oC  

                      成膜厚度均勻性:基板刻蝕均一性<3%  

                      極限真空:極限真空UltimatePressure<3E-9Torr  


                      二、磁控濺射技術(shù)原理:  

                      在陰極靶的表面上方形成一個(gè)正交電磁場(chǎng)。當濺射產(chǎn)生的二次電子在陰極位降區內被加速為高能電子后,并不直接飛向陽(yáng)極,而是在正交電磁場(chǎng)作用下作來(lái)回振蕩的近似擺線(xiàn)的運動(dòng)。高能電子不斷與氣體分子發(fā)生碰撞并向后者轉移能量,使之電離而本身變成低能電子。這些低能電子最終沿磁力線(xiàn)漂移到陰極附近的輔助陽(yáng)極而被吸收,避免高能電子對極板的強烈轟擊,消除了二級濺射中極板被轟擊加熱和被電子輻照引起的損傷,體現出磁控濺射中極板“低溫"的特點(diǎn)。由于外加磁場(chǎng)的存在,電子的復雜運動(dòng)增加了電離率,實(shí)現了高速濺射。  


                      三、雙腔室超高真空雙磁控測射系統技術(shù)特點(diǎn):  

                      成膜速率高,基片溫度低,膜的粘附性好,可實(shí)現大面積鍍膜  


                      四、售后服務(wù):  

                      保修期:1年  

                      是否可延長(cháng)保修期:否  

                      現場(chǎng)技術(shù)咨詢(xún):有  

                      免費培訓:1.設備出廠(chǎng)前,提供至少2人一周的設備原廠(chǎng)培訓。2.設備在現場(chǎng)完成安裝調試  

                      免費儀器保養:有需要可安排  

                      保內維修承諾:保修期內(除天災和人為損害外)部件、元件費用、出差費用均由我司承擔  

                      報修承諾:質(zhì)保期內出現故障時(shí)我司將及時(shí)響應,并在8小時(shí)內派技術(shù)人員到現場(chǎng)解決故障;  


                      五、技術(shù)參數:  

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                      六、工藝展示:

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