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                      原子層沉積系統的主要功能和應用

                      更新時(shí)間:2023-08-09      點(diǎn)擊次數:452
                        主要功能
                        具有熱ALD沉積氧化物、氮化物、貴金屬等薄膜材料的功能;具備未來(lái)等離子體增強ALD、Loadlock單元擴展功能。
                        應用
                        原子層沉積技術(shù)由于其沉積參數的高度可控型(厚度、成份和結構)
                        原子層沉積(Atomic Layer Deposition,ALD),最初稱(chēng)為原子層外延(Atomic Layer Epitaxy,ALE),也稱(chēng)為原子層化學(xué)氣相沉積(Atomic Layer Chemical Vapor Deposition,ALCVD)。原子層沉積是在一個(gè)加熱反應器中的襯底上連續引入至少兩種氣相前驅體物種,化學(xué)吸附的過(guò)程直至表面飽和時(shí)就自動(dòng)終止,適當的過(guò)程溫度阻礙了分子在表面的物理吸附。
                        目前可以沉積的材料包括:氧化物,氮化物,氟化物,金屬,碳化物,復合結構,硫化物,納米薄層等。中空納米管,隧道勢壘層,光電電池性能的提高,納米孔道尺寸的控制,高高寬比納米圖形,微機電系統(MEMS)的反靜態(tài)阻力涂層和疏水涂層的種子層,納米晶體,ZnSe涂層,納米結構,中空納米碗,存儲硅量子點(diǎn)涂層,納米顆粒的涂層,納米孔內部的涂層,納米線(xiàn)的涂層。
                        上述領(lǐng)域并不代表原子層沉積技術(shù)的所有可能應用領(lǐng)域,隨著(zhù)科技的發(fā)展在不遠的將來(lái)將會(huì )發(fā)現其越來(lái)越多的應用。根據該技術(shù)的反應原理特征,各類(lèi)不同的材料都可以沉積出來(lái)。已經(jīng)沉積的材料包括金屬、氧化物、碳(氮、硫、硅)化物、各類(lèi)半導體材料和超導材料等?,F在原子層沉積系統有國際品牌和自主品牌兩類(lèi)。在國外品牌以劍橋(cambridge)最為悠久,全球銷(xiāo)售量幾百臺。其次以芬蘭的BENEQ和picosun,在g端ALD領(lǐng)域投入大量研發(fā)工作。近幾年,在國內已經(jīng)有幾家設備公司先后完成研發(fā),在市場(chǎng)上推出自己的機型。

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