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                      關(guān)于真空蒸發(fā)鍍膜如何形成優(yōu)質(zhì)薄膜

                      更新時(shí)間:2023-07-21      點(diǎn)擊次數:549
                        真空蒸鍍是將固體材料(簡(jiǎn)稱(chēng)蒸鍍材料)在高真空環(huán)境中加熱,沉積在特定基板上,得到薄膜的過(guò)程。真空蒸鍍工藝主要用于微電子制造有源元件、器件觸點(diǎn)和金屬互連件、高精度低溫度系數薄膜電阻器,以及薄膜電容器的絕緣介質(zhì)和電極。
                        真空蒸發(fā)鍍膜
                        通過(guò)真空蒸發(fā)工藝形成各種薄膜是集成電路制造的一項重要技術(shù)??梢酝ㄟ^(guò)真空蒸發(fā)沉積多種材料,例如導電材料、介電材料、磁性材料和半導體材料。
                        影響薄膜質(zhì)量的關(guān)鍵過(guò)程
                        在真空蒸發(fā)過(guò)程中,系統的真空度直接影響薄膜的質(zhì)量。為了將蒸發(fā)原子或分子沉積在離蒸發(fā)源一定距離的基板上,真空室的真空度一般應優(yōu)于6×10-2 Pa。在真空室中,蒸發(fā)材料只有在其蒸氣壓在1Pa以上時(shí)才被蒸發(fā)。為此,往往需要將蒸發(fā)顆粒加熱到1000~2000℃;對于一些耐火材料,它必須加熱到高達3000°C。
                        常見(jiàn)的加熱方式有兩種
                        直接加熱-將高熔點(diǎn)導體(如鉬、鈮、鎢或石墨、氮化硼、硼化鈦的混合物)制成各種形狀的籃子或舟,將蒸發(fā)丸放在上面,用大電流以提高溫度。
                        間接加熱-有些材料在高溫下可能會(huì )被加熱的材料腐蝕,因此不應直接放在加熱器上。這時(shí),我們可以使用一些耐熱且穩定的材料,如氧化鋁、氧化釔或氧化鋯來(lái)制作坩堝。蒸發(fā)材料置于坩堝內,加熱器通過(guò)坩堝加熱蒸發(fā)材料。

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